三建技術課程
2025/08/11(一),09:30-16:30
台北+台南實體
清洗工程在半導體製造過程中反覆出現，是決定良率的關鍵步驟，也是最頻繁的工序之一。隨著IC微細化，清洗過程中出現了各種問題，傳統的清洗技術需要突破。例如，在清洗過程中，由於微細圖案在水的表面遭到倒塌，因此無表面張力的超臨界流體清洗和乾燥等各種新技術正在被研究並導入生產中。在濕洗之後，乾燥是必須的。
然而，清洗與乾燥技術直接關係到製造現場的良率，過去一直未曾被關注，甚至在半導體的參考書籍中也幾乎未被提及。雖然透過反向工程技術（通過拆解市面上的半導體晶片來分析競爭對手的元件結構和材料）可以觀察到元件的微結構，但卻無法獲得清洗過程的相關訊息。
本課題將從實踐角度出發，通過豐富的案例，深入淺出地解釋長期以來被視為不公開、並且鮮少被討論的矽晶圓表面精密清洗技術、當前的挑戰與解決方案，並介紹全球最前線的最新動向。最近舉行的，以及未來舉行的半導體清洗技術國際會議中的最新話題也將一併介紹。
【大綱目次】
前言：半導體清洗乾燥技術（如何去除已經附著在半導體表面上的污染物）
一、半導體製造中的清洗技術重要性
1-1 半導體元件製造流程及過程流程中的清洗位置
1-2 製造過程中減少顆粒污染的濕洗角色
二、表面污染去除機制
2-1 顆粒污染去除機制
2-2 金屬污染去除機制
2-3 有機污染去除機制
三、浸漬式晶圓表面清洗與乾燥方法
3-1 晶圓表面清洗歷史
3-2 RCA清洗及其替代與改進技術
3-3 浸漬式清洗及其問題
3-4 浸漬式清洗後的晶圓表面乾燥技術
3-5 水痕產生及其對策
四、單片旋轉式晶圓清洗與乾燥方法
4-1 單片旋轉式清洗的優勢
4-2 SCROD清洗
4-3 單片旋轉清洗的應用
4-4 單片旋轉清洗後的晶圓表面乾燥方法
五、FEOL/BEOL過程中的清洗技術
5-1 案例：晶體管形成過程中的高K選擇性蝕刻
5-2 案例：多層互連過程中的Cu/低K膜清洗
六、超微細結構清洗的挑戰與解決方案
6-1 純水的問題—絕緣性、水痕、高介電性、金屬溶解等
6-2 清洗時微細圖案塌陷的實際情況
七、不會損傷超微細結構的清洗與乾燥技術
7-1 雙流體、兆聲波等無損傷濕洗技術
7-2 HF蒸汽、氣溶膠清洗等各種乾式清洗技術
7-3 超臨界流體清洗與乾燥
7-4 極致的局部清洗—雷射、AFM探針、奈米鑷子等
八、清洗與乾燥技術總結與未來展望
日本SONY退役專家
《SONY公司任職30多年》
負責半導體部門的基礎研究、元件與製程開發，以及量產線（九州與美國德州）的良率提升等廣泛工作。在此期間，還經歷了總公司經營／研究規劃業務、美國Stanford大學留學，以及Stanford大學積體電路研究所客座研究員等經歷。曾擔任超潔淨技術研究室主任、研究Fellow等職位。
《退休之後》
國際技術獨立記者
《電化學學會》（ECS）院士及終身名譽會員。
ECS主辦的半導體清洗技術國際會議組織、運營與論文委員。
IMEC主辦的超潔淨半導體表面處理國際會議（UCPSS）日本代表委員，
IEEE主辦的半導體製造國際會議（ISSM）運營委員
SEMI日本地區標準委員會委員。
加利福尼亞大學柏克萊分校工學院、大阪大學 大學院 基礎工學研究科、韓國漢陽大學 大學院 工學研究科等的兼任講師或客座教授。
學員自付金額4,620、4,200、3,780元/團報1、2、3位
■補助對象：CC01080電子零組件製造業或明確從事IC設計/製造/封裝/測試領域業者之在職企業人士
■非上述之業者/學校/法人/個人身份，每班以4位為限且須繳交學員資格認列書。
■每班學員預計20位為補助上限
■升級彩版講義630元/本
| 報名1位 | 報名2位 | 報名3位 | |
|---|---|---|---|
| 原價 (+) | 4,620 | 4,200 | 3,780 |
| 自費 (=) | 4,620 | 4,200 | 3,780 |