●習得知識
．SiC功率半導體的基礎知識、開發及商業概況
．作為SiC功率半導體基石的SiC單晶晶圓的基礎知識、技術挑戰。
 
●參與對象
．半導體材料、加工、設備、元件製造商的人員
．電動車開發或電動車相關技術感興趣的企業人員
 
●課程主旨
本課程將介紹SiC功率半導體開發的最新動向，並解釋SiC單晶晶圓的開發情況和業務展望！目前，市場上已經有直徑150mm的SiC單晶晶圓，而近年來也宣布將開始生產直徑200mm的晶圓。據稱，用於xEV（電動車）的SiC功率元件也將由此開始正式量產。對於功率半導體，4H-SiC單晶晶圓因其優越的電子特性而被廣泛應用。市售的4H-SiC單晶晶圓已經用於製造和銷售高速低損耗的SiC蕭特基二極體（SBD）和金屬-氧化膜-半導體場效應電晶體（MOSFET），並應用於鐵路車輛和工業設備，但要進一步提高SiC功率元件的性能、可靠性和降低成本，需要進一步提升所使用的SiC單晶晶圓的品質和降低成本。
本課題中，我們將介紹SiC功率半導體開發的最新動向，解釋SiC單晶晶圓的開發現狀和業務發展，並討論未來開發SiC單晶晶圓應該解決的技術問題。
 
●目次綱要
第一章： SiC半導體、晶圓開發現況與展望
一、SiC功率半導體發展背景
1.1. 環境、能源技術的定位
1.2. SiC功率半導體開發的影響
二、SiC功率半導體發展史
2.1. SiC功率半導體開發的黎明期
2.2. SiC單晶生長和磊晶成長的突破
三、SiC功率半導體開發現況及趨勢
3.1. SiC功率半導體市場
3.2. SiC功率半導體相關學術及產業動向
3.3. SiC功率半導體相關最新消息
四、SiC單晶的物理特性和各種元件的應用
4.1. 什麼是SiC單晶？
4.2. SiC單晶的物性和特點
4.3. SiC單晶的各種元件應用
 
第二章： SiC單晶晶圓製造概述及技術挑戰
一、SiC單晶體生長
1.1. SiC單晶生長的熱力學
1.2. 昇華再結晶法
1.3. 溶液生長法
1.4. 高溫CVD法（氣相法）
1.5. 其他成長方法
二、SiC單晶晶圓加工技術
2.1. SiC單晶晶圓加工過程
2.2. SiC單晶切割技術
2.3. SiC單晶晶圓研磨技術
三、SiC單晶晶圓SiC磊晶生長技術
3.1. SiC磊晶生長技術概述
3.2 SiC磊晶生長技術發展趨勢

日本退役專家／倫敦大學博士，曾任職於新日鐵 中央研究院 先端研究員，近30年來致力寬能隙半導體碳化硅領域。