實體直播回放
三建技術課程
2026/08/31(一),09:30-16:30
台南+新竹、線上直播、數位回放
AI推動先進邏輯元件（Logic Device）的微縮製程開發，為了有效發揮其效能，亦不可或缺地需要透過先進封裝技術，實現與記憶體的高整合，進而提升系統層級（System-Level）的整體性能。
高頻寬記憶體（HBM）未來除了持續增加堆疊晶片（Stacked Chips）層數之外，也將透過 Base Die 微縮化進一步提升效能，相關技術開發仍將持續推進。
此外，隨著 AI Inference 與 Edge AI 逐步滲透至各類產業領域，預期 AI 市場將進一步擴大，同時也帶動以 NAND Flash 為基礎的 HBF，以及兼具大容量與低功耗特性的 HBS 儲存技術需求持續升高。
本課題將探討 AI 記憶體所需的 TSV、Hybrid Bonding 與 3D Fan-Out 等技術，並綜觀未來記憶體封裝技術的發展趨勢。
1. Introduction
2. Fundamentals of Mid-end process technologies for 3D integration
2.1 TSV process (Via Middle, Back side via)
2.2 Memory die stacking (NCF, MUF for HBM)
2.3 Wafer-to-Wafer hybrid bonding for CIS, NAND
2.4 CoW hybrid bonding for on-chip memory
3. 3D Fan-Out integration
3.1 Through Mold interconnect process options
3.2 LPW with vertical wire bonding for AI mobile memory
4. Memory packaging innovation
4.1 Customized HBM to improve power efficiency
4.2 HBF, HBS emerging for AI
5. Closing and Q&A
日本退役專家，台南實體面授
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