隨著手機和資訊設備效能的提高，對記憶體、微處理器等半導體的高度積體化需求不斷增加，2022年迎來3nm邏輯節點（最小圖案12nm），在2025年將推出2nm邏輯節點（最小圖案10nm）。在本課題中，將展示最新技術路線圖，並著重介紹支援3nm及以後邏輯節點的微影和光阻劑尖端技術，並總結未來前景和市場趨勢。
一、路線圖
1-1 IRDS路線圖
1-1-1 微影所需的特性要求
1-1-2 抗蝕劑和微細加工材料的要求特性
1-2 應對微細化的微影技術選擇
二、微影、光阻劑的尖端技術
2-1 雙/多重圖案
2-1-1 雙/多重圖案的基本原理和挑戰
2-1-2 Litho-Etch (LE) 工程
2-1-3 Self-Aligned (SA) 工程
2-2 EUV微影
2-2-1 EUV微影的特點
2-2-2 EUV微影的基本原理和挑戰：曝光設備、光源、光罩、流程
2-2-3 EUV光阻劑
2-2-3-1 EUV光阻劑基礎知識
2-2-3-2 EUV光阻劑的要求特性
2-2-3-3 EUV光阻劑的設計指南
2-2-3-4 EUV光阻劑的挑戰及對策：感度/解析度/粗糙度權衡、隨機缺陷（機率效應）
2-2-3-5 EUV光阻劑趨勢：
分子光阻劑、負光阻劑、使用聚合物結合產酸劑的化學增幅型光阻劑、含氟聚合物光阻劑
2-2-3-6 EUV金屬光阻劑：金屬光阻劑的特點、金屬光阻劑的性能、金屬增感劑
2-3 奈米壓印 (Nanoimprinting Lithography) 技術
2-3-1 奈米壓印技術的基本原理與挑戰
2-3-2 加壓型奈米壓印材料
2-3-3 光硬化型奈米壓印材料
三、微影和光阻劑未來技術展望
四、光阻劑市場趨勢

PANASONIC退役專家，任職期間從事IC微影、抗蝕劑、EUV光阻、微細加工材料開發