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【日本專家】SiC功率半導體、晶圓開發的現狀及高品質化、低成本化的挑戰

  三建技術課程

  2024/07/04(四),09:30-16:30

  北+南+視

大綱內容

●習得知識
.SiC功率半導體的基礎知識、開發及商業概況
.作為SiC功率半導體基石的SiC單晶晶圓的基礎知識、技術挑戰。
 
●參與對象
.半導體材料、加工、設備、元件製造商的人員
.電動車開發或電動車相關技術感興趣的企業人員
 
●課程主旨
本課程將介紹SiC功率半導體開發的最新動向,並解釋SiC單晶晶圓的開發情況和業務展望!目前,市場上已經有直徑150mm的SiC單晶晶圓,而近年來也宣布將開始生產直徑200mm的晶圓。據稱,用於xEV(電動車)的SiC功率元件也將由此開始正式量產。對於功率半導體,4H-SiC單晶晶圓因其優越的電子特性而被廣泛應用。市售的4H-SiC單晶晶圓已經用於製造和銷售高速低損耗的SiC蕭特基二極體(SBD)和金屬-氧化膜-半導體場效應電晶體(MOSFET),並應用於鐵路車輛和工業設備,但要進一步提高SiC功率元件的性能、可靠性和降低成本,需要進一步提升所使用的SiC單晶晶圓的品質和降低成本。
本課題中,我們將介紹SiC功率半導體開發的最新動向,解釋SiC單晶晶圓的開發現狀和業務發展,並討論未來開發SiC單晶晶圓應該解決的技術問題。
 
●目次綱要
第一章: SiC半導體、晶圓開發現況與展望
一、SiC功率半導體發展背景
1.1. 環境、能源技術的定位
1.2. SiC功率半導體開發的影響
二、SiC功率半導體發展史
2.1. SiC功率半導體開發的黎明期
2.2. SiC單晶生長和磊晶成長的突破
三、SiC功率半導體開發現況及趨勢
3.1. SiC功率半導體市場
3.2. SiC功率半導體相關學術及產業動向
3.3. SiC功率半導體相關最新消息
四、SiC單晶的物理特性和各種元件的應用
4.1. 什麼是SiC單晶?
4.2. SiC單晶的物性和特點
4.3. SiC單晶的各種元件應用
 
第二章: SiC單晶晶圓製造概述及技術挑戰
一、SiC單晶體生長
1.1. SiC單晶生長的熱力學
1.2. 昇華再結晶法
1.3. 溶液生長法
1.4. 高溫CVD法(氣相法)
1.5. 其他成長方法
二、SiC單晶晶圓加工技術
2.1. SiC單晶晶圓加工過程
2.2. SiC單晶切割技術
2.3. SiC單晶晶圓研磨技術
三、SiC單晶晶圓SiC磊晶生長技術
3.1. SiC磊晶生長技術概述
3.2 SiC磊晶生長技術發展趨勢

講師介紹

日本退役專家/倫敦大學博士,曾任職於新日鐵 中央研究院 先端研究員,近30年來致力寬能隙半導體碳化硅領域。

課程聯絡人

  • 姓名:張竟研
  • 電話:02-25364647
  • 信箱:sumken@sum-ken.com

優惠規則說明

※參加線上視訊,限【2位以上】團報。
※額外加價525元,升級彩色版講義。
※請於開課日期【前7天完成繳費】,中國信託銀行(822)城北分行 657-540116548三建資訊有限公司※

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